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刘久澄; 刘晓燕; 任远; 刘宁炀; 王君君; 王巧; 陈志涛;
广东省半导体产业技术研究院,广东广州510650;
氮化硅; PECVD; 拉曼光谱; 应力;
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:ECR-PECVD沉积氮化硅薄膜的光电结构性能
机译:射频磁控溅射沉积非晶态富硅氮化硅薄膜的机械和电性能
机译:PECVD沉积氮化硅薄膜的一些关键力学性能研究
机译:氢在PECVD沉积的氮化硅薄膜中的重新分布。
机译:射频增强等离子体化学气相沉积(RF pECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性质和沉积速率的影响
机译:氢 - 等离子体和pECVD-氮化物沉积对线带硅太阳能电池中体积和表面钝化的影响
机译:氮化硅薄膜沉积方法及氮化硅薄膜沉积装置
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
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