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韩萌; 罗群霞; 张渊;
PECVD; 工艺参数; 氮化硅膜; 太阳能电池;
机译:用于太阳能电池的PECVD生长的无氨非晶氮化硅薄膜的拉曼光谱和FTIR研究
机译:PECVD生长的富硅氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光特性的退火温度依赖性
机译:VHF PECVD法生长薄膜太阳能电池用低温微晶硅薄膜
机译:低频PECVD工艺参数对氮化硅薄膜固有应力的影响
机译:氮化硅薄膜中存在的电荷及其对硅太阳能电池效率的影响的研究
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:衬底温度对pECVD制备氮化硅薄膜性能的影响
机译:si太阳能电池的pECVD氮化物钝化中的H-扩散机制:预印刷。
机译:通过PECVD使用硅薄膜隧道结层制造具有薄膜硅和块状晶体硅的串联太阳能电池的方法及其太阳能电池
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
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