PECVD法沉积氮化硅薄膜退火前后电学性能的变化研究

摘要

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法沉积SiN薄膜,衬底采用多晶硅(厚度大约为330±40μm,电阻率为0.5~2.0Ωcm),采用常规制备参教条件沉积SiN薄膜,之后对样品进行不同条件的热处理.热处理采用快速热退火(RTA)的方式在氮气氛下进行退火温度为350℃-1100℃,退火温度为15s-180s.最后,通过运用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)对样品进行测试,从而获得薄膜少于寿命.从测试结果可以看出,退火引起大量H的逸出,使得样品的缺陷态密度大大增加,进而导致少子寿命降低,尤其在退火温度大于650℃后,少子寿命下降趋势急剧增大.