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李伟; 梁二军; 邢怀中; 丁宗玲; 陈效双;
东华大学物理系;
郑州大学教育部材料物理重点实验室;
郑州450052;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
β-Ga2O3; 电子结构; 第一性原理; 铬掺杂;
机译:基于第一性原理计算的F掺杂β-Ga_2O_3的电子结构和光学性质
机译:从第一性原理计算M掺杂的β-Ga_2O_3中的电子结构和电磁相互作用
机译:铜掺杂β-Ga_2O_3的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:通过第一性原理阐明Ga_2O_3中复杂缺陷的原子结构和电子态
机译:原始和掺杂的锐钛矿型二氧化钛电子结构的第一性原理研究。
机译:从第一性原理计算准一维超导体K2Cr3As3的电子结构
机译:sn和Cr掺杂对热生长Ga_2O_3纳米线形貌和发光的影响
机译:LiF,NaCl和mgO(100)表面的表面能和电子结构的第一性原理计算
机译:-GA_2O_3基体的制备方法和晶体层状结构的制备方法
机译:物的结构和性质的定量第一性原理量子力学预测的方法学及其计算实现
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