GaN功率器件的驱动及控制策略研究

摘要

氮化镓(GaN)功率器件作为典型的第三代半导体器件,相比于传统的硅(Si)器件,在导通电阻和栅极电荷上更具优势,可使功率转换器体积更小、频率及效率更高,因而被广泛应用在高频开关电源,以及民用、工业、通信等领域,具有广阔的应用前景。然而,Ga N功率器件在实际应用中,存在驱动电压范围窄、阈值低的不足,易导致驱动误通、栅极击穿等问题。基于此,文章研究了Ga N功率器件变换器拓扑结构的选择,以及适用于Ga N功率器件的驱动及控制策略,可为Ga N功率器件在高频开关电源中的应用设计合适的驱动电路,以确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。