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刘红侠; 卢风铭; 王勇淮; 宋大建; 武毅;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
AlxGa1-xN/GaN异质结; 二维电子气; 多子带模型; 能级分布;
机译:AlGaN / GaN异质结构中二维电子气中子带结构的栅极电压依赖性
机译:未掺杂AlGaN / GaN单异质结中二维电子气的光发射的载流子动力学
机译:AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构中二维电子气的流传输
机译:共振子带-朗道能级耦合确定GaAs / AlGaAs异质结中二维电子气的子带间能
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:GaN / AlGaN核/壳纳米线中对异质结电子气体的纳米尺度效应
机译:清晰界面AlGaN / GaN异质结构中二维电子气的室温迁移率高于2200 cm2 / V.s
机译:alGaN / GaN异质结场效应晶体管中的偏置应变及其意义
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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