PLZT铁电薄膜的制备及其性能

摘要

在温度为97℃,水浴回流10 h的条件下,用旋涂法在Si(100)基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪(PIA)对其介电性能进行测试,研究发现:PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率,的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1 MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率f的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小.