ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能

摘要

用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La 掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3 (PLZT)铁电薄膜.研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响.结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性, 外加15 V 电压下, 剩余极化强度为35.4×10-6 C/cm2, 矫顽场强为111×103 V/cm.100 kHz 时的εr和tgδ分别为984和0.13.在外加电场小于9 V时,薄膜的漏电流密度不超过10-8 A/cm2.