双栅无结晶体管阈值电压模型

摘要

无结晶体管是近年来纳米SOIMOS器件领域的研究热点，相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管，基于二维泊松方程，建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI，探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。