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Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

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在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.

著录项

来源
《半导体学报》 |2008年第8期|1433-1435|共3页
作者
叶志镇; 林时胜; 何海平; 顾修全; 陈凌翔; 吕建国; 黄靖云; 朱丽萍; 汪雷; 张银珠; 李先杭;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
LED; Na掺杂; p型ZnO; ZnO/ZnMgO多量子阱;

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