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叶志镇; 潘新花;
中国电子学会;
广州市科协;
氧化锌薄膜; p型掺杂; 电致发光; 半导体材料; 光电器件; 量子阱;
机译:砷掺杂的ρ型ZnO纳米线/ n-ZnO薄膜同质结发光二极管的室温电致发光
机译:p型氮掺杂ZnO薄膜中的室温铁磁性
机译:反应磁控溅射沉积p型(Mn,Li)共掺杂ZnO薄膜中相关的室温铁磁性的缺陷
机译:室温下在硅上生长具有ⅢA(Al或In)元素的纯掺杂ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜的异质结器件参数的比较
机译:基于ZnO和MgZnO薄膜的金属-半导体-金属器件的室温激子激射技术的发展。
机译:中性束溅射合成的Cu掺杂ZnO薄膜的增强室温铁磁性和绿色光致发光
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。
机译:通过同时注入O和As离子以及包括相同方法制造的P型ZnO薄膜的二极管制造P型ZnO薄膜的方法
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积ICP-CVD设备,使用ICP-CVD设备制造没有任何掺杂工艺的P型ZnO薄膜的系统和方法以及光功率化合物半导体
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)设备,系统和方法,用于通过使用ICP-CVD设备和光功率复合半导体在没有任何掺杂过程的情况下制造p型Zno薄膜
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