机译:p型ZnO基化合物半导体层的制造方法,ZnO基化合物半导体元件的制造方法,p型ZnO基化合物半导体单晶层,ZnO基化合物半导体元件和n型ZnO基化合物半导体层叠结构
公开/公告号EP2690654A3
专利类型
公开/公告日2014-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 STANLEY ELECTRIC CO. LTD.;
申请/专利号EP20130020062
申请日2013-07-25
分类号H01L21/36;H01L21/02;H01L29/22;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:47:05