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李成; 杨沁清; 朱家廉; 王红杰; 成步文; 余金中; 王启明; 王鲁峰; 彭晔;
集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所;
光电子工艺中心中国科学院半导体研究所;
共振腔; 光电探测器; Bragg反射器; 硅基;
机译:通过具有嵌入式Y_2O_3 / Si分布式Bragg反射器的工程化氧化物缓冲液,可增强Si(111)上的紫外GaN光电探测器响应
机译:具有InP /气隙布拉格反射器的1.57μm基于InP的共振腔增强光电探测器
机译:基于ZnSE / ZnS / GaAs Bragg反射器的可见光谱范围的双彩色光电探测器
机译:用于Si基谐振腔增强型光电探测器的硅 - 阳极反射器的制造
机译:III-V光电探测器和光发射器的MOCVD生长,用于在SI基板上集成光电器件
机译:用于基于Si的光电集成的Ge光电探测器
机译:背面入射SiGe-Si多量子阱共振腔增强型光电探测器,用于13微米工作
机译:用于400 GHz增益带宽积的In Gaas / si雪崩光电探测器的设计
机译:共振腔紧张III-V光电探测器和硅衬底上的LED
机译:共振腔应变III-V族光电探测器和硅基板上的LED及其制造方法
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