4H-SiC同质外延拉曼散射光谱

摘要

在4H-SiC(0001)衬底上,使用CVD法生长不同掺杂浓度的外延层。将不同掺杂浓度的4H-SiC外延层,用拉曼散射光谱进行了研究。使用Matlab拟合了LOPC模的线型,并从理论上计算出载流子浓度,载流子浓度的理论计算值与SIMS测量的结果符合良好。随着掺杂浓度的变大,载流子浓度变大,LOPC峰发生蓝移,频移变大,散射强度变小,峰宽变宽。分析认为,LOPC峰发生蓝移主要和晶格振动有关,浓度越大,使得原子之间和晶胞之间的相互作用越强,致使出现蓝移现象。随着掺杂浓度的增大,声子增加,进而散射概率增加,散射概率降低了声子寿命,声子寿命和峰宽成反比,随着掺杂浓度增大,峰宽变宽。随着掺杂浓度的增大,散射强度越来越小。