脉冲激光沉积制备MgO非晶薄膜介电性质的研究

韩亚萍; 封敬艳; 王金鑫

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利用脉冲激光沉积技术在高电导P-Si和绝缘体SiO2上沉积了MgO非晶薄膜,并对SiO2上的MgO薄膜进行了透过率及XRD表征.构造了金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管结构P-Si/MgO/Ag,测量了其C-F曲线,计算得到K-ω曲线,通过拟合计算得到MgO的介电常数和等效厚度,与SiO2的等效厚度进行对比发现,非晶MgO作为高K值绝缘栅介质材料优于SiO2.

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来源
《黑龙江大学自然科学学报》 |2016年第1期|113-117|共5页
作者
韩亚萍; 封敬艳; 王金鑫;
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作者单位

东北林业大学理学院,哈尔滨150040;

东北林业大学理学院,哈尔滨150040;

哈尔滨工业大学凝聚态科学与技术研究所,哈尔滨150001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电学;
关键词
非晶MgO薄膜; MOS; 介电性质; 等效厚度;

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