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宋文燕; 崔虎; 苏勋家; 刘正堂;
第二炮兵工程学院,西安,710025;
西北工业大学,材料学院,西安,710072;
磁控反应溅射; 蓝宝石; 氮化硅薄膜; 性能;
机译:快速热化学气相沉积法在硅衬底上制备不同碳源的异质外延氮化碳氮化硅膜
机译:常压等离子体化学气相沉积制备高速率氮化硅薄膜的沉积特性与性能研究
机译:干法刻蚀在蓝宝石和硅衬底上制备GaN纳米结构
机译:通过X射线双晶衍射和透射电子显微镜表征蓝宝石,碳化硅和硅衬底上的单晶外延氮化铝薄膜
机译:通过MOCVD增强了蓝宝石衬底上的III型氮化物HEMT的器件性能。
机译:通过使用双转移技术从蓝宝石转移到硅衬底来增强GaN基发光二极管的性能
机译:硅衬底上氮化硅薄膜的生长与表征
机译:蓝宝石上溅射氮化铝的制备及其在UHF saW滤波器中的应用。
机译:用于氮化镓基器件的多晶硅碳化硅衬底具有薄的蓝宝石层,该蓝宝石层设置在衬底的上表面上方,其中该层具有特定的厚度,并且上表面用于容纳器件的层
机译:制备蓝宝石薄膜上的硅的方法以及用相同方法制备的硅薄膜上的硅以防止晶格失配
机译:用于制造绝缘体上硅衬底以及半导体和显示装置的单晶硅衬底具有致密的氢注入区,该氢注入区提供了用于制造硅薄膜的分离区。
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