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刘晓晗; 黄大鸣; 等;
复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室;
上海200433;
SiGe/Si; 应变层; 超晶格; 异质界面; 热稳定性; 光散射; 半导体; 硅衬底; 锗化硅; 散射光谱;
机译:块状单晶SiGe和Si衬底上Si / SiGe应变层超晶格的生长和表征
机译:通过扫描莫尔条纹成像研究Si / SiGe / SiGe / SiGe多层中的应变异质界面
机译:通过使用紫外共振拉曼散射扫描近场光学拉曼显微镜,高灵敏度地检测应变Si / SiGe异质结构中的近场拉曼散射光
机译:界面控制通过界面控制输出Si / SiGe / SiGe / SiGe / SiGe超晶格超晶格的输出因子操作
机译:用拉曼散射研究半导体异质结构和超晶格中的无序和应变。
机译:SiGe和Si / Ge超晶格对低能辐射的辐射响应的理论模拟
机译:表面活性剂辅助siGe梯度层和对称应变si / Ge超晶格用于热电应用的实验研究
机译:使用X射线散射测量数据,模型独立地确定siGe / si超晶格的应变分布
机译:使具有较高Ge浓度的第一SiGe层的应变Si器件松弛以具有与具有较低Ge浓度的第二SiGe层基本相同的晶格常数
机译:使用应变SI / SIGE异质结构层的互补金属氧化物半导体晶体管逻辑
机译:使用应变SI / SIGE异质结构层的CMOS晶体管逻辑电路
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