SIMOX上分子束外延生长Si／Ge0.5Si0.5应变层超晶格的TEM研究

摘要

以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５应变层超晶格。用剖面电子显微学对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５超晶格内存在的位借与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。