Ge基III-V族半导体材料外延研究

摘要

Ge基III-V族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对Ge衬底表面进行高温预处理,可以有效避免反向畴形成。采用较低的生长温度和生长速率,可以有效抑制异质界面间原子的互扩散。