GaAs

摘要： 采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2~6.5 GHz高精度6位数控移相器。为了达到较小的插入损耗和较小的版图面积,采用桥T型高/低通滤波器拓扑结构对5.625°移相器单元进行设计。采用开关切换全通滤波拓扑结构对11.25°、22.5°、45°、90°、180°5个移相器单元进行设计,实现了较小版图面积和高移相精度。芯片尺寸为4.5 mm×1.7 mm×0.1 mm,通过实测可知,在2~6.5 GHz工作频段内,输入输出驻波小于1.6,插入损耗小于17 dB,移相精度小于3°。

摘要： 本文分析了三代像增强器在局部强景物长时间照射下,视场出现阴影的原因。发现了自动防护功能无法避免局部阴影出现的防护漏洞。通过对荧光屏平均电流的振幅和变化速率进行控制,提出振幅速率限制法来弥补自动防护功能的不足。该方法操作性强,简单且高效。

摘要： 衰减器是功率增益控制元件,运用于各种通信放大电路场景,对信号或者功率调节,以达到电路最优状态。在近几年科研人员共同努力下,MMIC技术已在各个方面有了突破,目前研究方向已往宽带、大功率等方向进发。本文涉及到的衰减器在实现国产化替代的同时,提供了大功率以及超宽带时的参考设计与具体流片。其裸片大小为1.2 ×1.0 mm,可满足QFN中2 ×2 mm的封装,衰减量为5 dB,频带范围DC-40GHz,功率承受力可达2 W。

摘要： 采用密度泛函理论计算了5种GaAs(001)-(2×4)重构表面的电子结构与光学性质,比较了不同GaAs(001)-(2×4)重构表面的表面能与功函数,分析了重构表面的能带结构和态密度.结果表明:β_(2)(2×4)重构表面最稳定,具有最小的功函数;重构表面处的电子向材料体内运动从而形成表面能带弯曲区;材料通过改变表面电子分布平衡偶极子产生的电势,从而消除偶极矩使表面稳定.最后分析比较了5种重构表面的吸收谱和反射谱,发现重构表面吸收系数与反射率小于体材料,透过率大于体材料,有利于光子透过表面从而激发体内电子.

摘要： 半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点,被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件,促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源,用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结,并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。

摘要： 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征GaAs以及3d过渡金属Mn、Fe、Co单掺杂GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行理论计算以及对比研究.计算结果表明:能带结构中三种掺杂体系均引入新的能级,能带条数增多,导带底与价带底顶向深能级移动,带隙减小;费米能级附近出现了杂质能级,导致掺杂体系光子能量位于0时介电函数虚部便有所响应,掺杂体系相较于本征体系的静介电常数有所提升;Mn、Fe、Co三种掺杂体系相较于本征体系在红外以及远红外区域吸收系数得到了明显的提升,其中Fe掺杂GaAs的光催化特性最好.

摘要： The high-power microwave(HPM)effect heats solar cells,which is an important component of a satellite.This creates a serious reliability problem and affects the normal operation of a satellite.In this paper,the different HPM response characteristics of two kinds of solar cells are comparatively researched by simulation.The results show that there are similarities and differences in hot spot distribution and damage mechanisms between both kinds of solar cell,which are related to the amplitude of HPM.In addition,the duty cycle of repetition frequency contributes more to the temperature accumulation of the solar cells than the carrier frequency.These results will help future research of damage assessment technology,reliability enhancement and the selection of materials for solar cells.

摘要： 采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO2/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性.结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级.VO2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性.

摘要： 光电化学水分解制氢被誉为人工光合作用,其利用太阳能将水分解为氢气和氧气,是未来可持续能源体系潜在的重要能源转换手段.随着光电化学电池的发展,光电化学电池的转换效率得到了大幅提升,然而光电化学电池的使用寿命却与实际应用标准寿命(10年)相差甚远.光电化学电池材料体系中Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs由于其优异的光物理性能逐步受到科学家们的广泛关注.然而,GaAs在光电化学体系中存在严重的光腐蚀问题.如何在充分发挥GaAs本征优势的前提下提升其在电解液中的稳定性近年来已成为Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.研究表明,针对不同环境下GaAs电极的腐蚀机制设计不同保护层薄膜对GaAs进行防护,能有效地在保证转换效率的前提下延长GaAs电极的寿命.本文从GaAs材料在不同酸碱性电解液中的腐蚀机理出发,针对GaAs在不同溶液环境中的有效保护措施进行综述,着重阐述了现有手段对GaAs材料在溶液中稳定性提升的成果,同时展望了GaAs材料的未来发展趋势.

摘要： 基于砷化镓(GaAs)工艺,利用ADS软件仿真设计了一款超宽带四通道开关滤波器芯片,频率覆盖了6GHz～20GHz,尺寸为仅3.2mm×2.4mm×0.1mm.该开关滤波器芯片由两个单刀四掷开关和四个带通滤波器电路组合而成.实物测试结果显示,在通带内插入损耗≤10dB,端口回波损耗≥15 dB,带外抑制达到了40dB.该开关滤波器的实测结果显示,射频特性优良,具有较高的实用价值.

摘要： 本文针对三种具有不同表面微结构的GaAs 单结太阳能电池开展数值研究,分析了不同表面微结构对太阳能电池性能的影响.使用射线跟踪法计算光在太阳能电池内的传输问题,得到电池内部每个节点上光强信息,结合光生率方程,可算出电池内部光生电流.数值计算结果显示,对电池表面进行织构化处理后,外量子效率和能量效率显著提高,并且在更宽的光谱范围内维持高量子效率.

摘要： 本文针对三种具有不同表面微结构的GaAs 单结太阳能电池开展数值研究,分析了不同表面微结构对太阳能电池性能的影响.使用射线跟踪法计算光在太阳能电池内的传输问题,得到电池内部每个节点上光强信息,结合光生率方程,可算出电池内部光生电流.数值计算结果显示,对电池表面进行织构化处理后,外量子效率和能量效率显著提高,并且在更宽的光谱范围内维持高量子效率.

摘要： 本文针对三种具有不同表面微结构的GaAs 单结太阳能电池开展数值研究,分析了不同表面微结构对太阳能电池性能的影响.使用射线跟踪法计算光在太阳能电池内的传输问题,得到电池内部每个节点上光强信息,结合光生率方程,可算出电池内部光生电流.数值计算结果显示,对电池表面进行织构化处理后,外量子效率和能量效率显著提高,并且在更宽的光谱范围内维持高量子效率.

摘要： 本文针对三种具有不同表面微结构的GaAs 单结太阳能电池开展数值研究,分析了不同表面微结构对太阳能电池性能的影响.使用射线跟踪法计算光在太阳能电池内的传输问题,得到电池内部每个节点上光强信息,结合光生率方程,可算出电池内部光生电流.数值计算结果显示,对电池表面进行织构化处理后,外量子效率和能量效率显著提高,并且在更宽的光谱范围内维持高量子效率.

摘要： 本文针对三种具有不同表面微结构的GaAs 单结太阳能电池开展数值研究,分析了不同表面微结构对太阳能电池性能的影响.使用射线跟踪法计算光在太阳能电池内的传输问题,得到电池内部每个节点上光强信息,结合光生率方程,可算出电池内部光生电流.数值计算结果显示,对电池表面进行织构化处理后,外量子效率和能量效率显著提高,并且在更宽的光谱范围内维持高量子效率.

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合，形成封装结构的金属围墙形式；将所述两圆片中的任一圆片的所述信号连接压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，将另一圆片的所述接地孔压点和所述seal ring压点通过对应的GaAs衬底引出，形成封装结构的屏蔽金属盖，最终在圆片上实现芯片级电磁屏蔽封装结构，抗干扰能力强。根据本实施例提供的实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法，可实现大批量生产制作，工艺成本低，结构重复性好，可靠性高。

摘要： 本发明涉及一种层状GaAs、其制备方法及由此剥离的GaAs纳米片，更具体而言，涉及一种与现有块状GaAs不同地具有二维晶体结构，由于可剥离性优异而易于以纳米片的形式剥离，具有在面内(inplane)方向上易于传输电荷的结构，因此具有优异的电特性的层状GaAs。

摘要： 本发明提供了一种GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法，制备方法依次包括下列步骤：1)，提供一个GaAs基光电器件外延片，其从下至上依次包括非金属衬底，GaAs基光电器件外延层；2)，在所述GaAs基光电器件外延层上制备多个第一电极，将所述多个第一电极中的任意相邻两个第一电极之间的GaAs基光电器件外延层去除以形成多个刻蚀间道；3)，将过渡基板粘附在所述多个第一电极的表面上；4)，移除所述非金属衬底；5)，在所述GaAs基光电器件外延层的表面上制备具有至少一个第二电极的第二电极层；6)，在所述第二电极层的表面上制备金属基板组件；7)，移除所述过渡基板；步骤8)，分片。本发明的制备方法提高了成品率，降低了工艺成本。

摘要： 本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。正面制作GaAs基单管器件的方法：A1、片上肖特基器件的制作步骤；B1、对片上肖特基器件进行隔离；C1、衬底脱落。GaAs基片上集成变频电路的制作方法：A2、片上肖特基器件制作步骤。B2、去除重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。C2、集成无源器件。D2、对片上肖特基器件进行隔离。E2、通过空气桥工艺和电镀工艺制作梁式引线。F2、衬底脱落。本发明工艺简化，节约了成本。

摘要： 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。

摘要： 本发明涉及一种层状GaAs及由此剥离的GaAs纳米片。所述层状GaAs具有结晶或无定形结构。该层状GaAs与现有块状GaAs不同地具有二维晶体结构，由于可剥离性优异而易于以纳米片的形式剥离，具有在面内(inplane)方向上易于传输电荷的结构，因此具有优异的电特性。

摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长设备及GaAs单晶生长工艺。一种GaAs单晶生长设备，包括：晶体生长炉，所述晶体生长炉内设置有高温区、梯度区以及低温区；单晶坩埚，所述单晶坩埚位于所述单晶炉的中部，用以容纳砷化镓多晶，且所述单晶坩埚覆盖所述高温区、梯度区以及低温区；加热自动控制组件，所述加热自动控制组件包括用以构成高温区、梯度区以及低温区的多个第一加热元件，相邻所述第一加热元件之间设置有测温热电偶，所述晶体长炉的中部设置有第二加热元件，且各个所述第一加热元件和第二加热元件分别通过控制器进行独立控制。本申请具有提升砷化镓单晶的结晶质量，降低其位错密度的优点。

摘要： 本发明公开了一种GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件，包括GaAs/ErAs单晶/GaAs可饱和吸收层和承载所述可饱和吸收层所需的光学元件。所述的GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件具有反射型和透射型两种结构；其中反射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层、光学衬底和反射层；透射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层和光学衬底。GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件无需低温生长，依赖单晶薄膜材料异质结构便可获得超快的弛豫时间，由于可饱和吸收层的缺陷密度低，器件的可靠性和一致性好，在脉冲激光器等领域应用前景广阔。

摘要： 本发明提供了一种在GaAs衬底上生长GaSb外延片的方法及GaAs基衬底。所述方法包括：在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，在所述GaAs缓冲层上沉积Ga原子层，在所述Ga原子层上外延生长界面失配位错阵列IMF，在所述界面失配位错阵列IMF上外延生长GaSb外延层。减少穿透位错的产生，简化外延生长过程，提高了生长效率。

摘要： 本发明提供了一种P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法。外延生长方法，包括：步骤S1，向反应室中通入镓源、砷源和P型掺杂源以进行外延生长，得到P型GaAs基层；步骤S2，停止通入P型掺杂源，向反应室内通入铟源在P型GaAs基层上生长InGaAs量子点层；步骤S3，停止通入铟源和镓源，升温并保温以去除InGaAs量子点层中的In；以及步骤S4，保温结束后通入镓源、砷源和P型掺杂源进行P型掺杂生长。通过在P型GaAs层生长过程中，引入少量的In原子，通过控制工艺去除In原子的同时为p掺杂提供更多空位，可以达到提高P型GaAs层掺杂浓度的目的，减少外来元素对电池的影响。