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王东生; 于涛; 游彪; 夏奕东; 胡安; 刘治国;
南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093;
栅极电介质材料; 高介电常数; LaAlO3薄膜;
机译:具有高介电常数栅极电介质的独立双栅极(IDG)MOSFET电路性能的仿真研究
机译:研究高品质超薄LaAlO3薄膜作为高k栅极电介质
机译:使用氧化锆纳米线作为高介电常数栅极电介质的高性能顶栅石墨烯-纳米带晶体管
机译:电子掺杂FESE / LAALO3薄膜中超导性能的栅极电压依赖性
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
机译:脉冲激光沉积铝酸盐YAlO3和LaAlO3薄膜以替代栅极电介质应用
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。
机译:用于栅极电介质的蒸发LaAlO3薄膜
机译:原子层沉积的LaAlO3膜用于栅极电介质
机译:用于制造具有高介电常数的栅极电介质的半导体器件的选择性蚀刻工艺,以防止栅极电介质被适当地抬起或压下,而在介质层下的基质并未完全损坏时
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