GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化

袁之良; 许继宗; 郑宝真; 徐仲英

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GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化

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用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs量子阱结构中荧光上升时间τf和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τf随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反,在窄阱中τf随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的.同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是国为激子特性由准二维向三维转化造成的.

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来源
《红外与毫米波学报》 |1995年第4期|257-262|共6页
作者
袁之良; 许继宗; 郑宝真; 徐仲英;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
时间分辨光荧光谱; 量子阱; GaAs/AlGaAs;

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