法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-12
授权
授权
2016-08-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/10 申请日:20160512
实质审查的生效
2016-08-03
公开
公开
机译: 在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译: 形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
机译: 形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构