首页> 中文期刊> 《红外与毫米波学报》 >InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程

InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程

         

摘要

利用时间分辨光谱技术,在11~90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/A1GaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》 |1995年第3期|237-240|共4页
  • 作者单位

    中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    西安交通大学微电子研究室,陕西,西安,710049;

    中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院半导体研究所,超晶格和微结构国家实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,超晶格和微结构国家实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,超晶格和微结构国家实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,超晶格和微结构国家实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所,超晶格和微结构国家实验室,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 红外技术的应用;
  • 关键词

    子带间弛豫; 应变层量子阱; 时间分辨荧光光谱;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号