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GaAsSb/GaAs量子阱激光器结构的发光研究

         

摘要

研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响. 同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点. 应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》 |2002年第z1期|7-10|共4页
  • 作者单位

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287, USA;

    中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

    Electrical Engineering Dept., Arizona State University, Tempe AZ85287,USA;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 激光技术、微波激射技术;
  • 关键词

    GaAsSb; 量子阱,激光,光致发光;

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