退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
林耀望;
中国科学院半导体研究所;
分子束外延; 量子阱激光器; 激光材料;
机译:高功率,单模InGaAs-GaAs-AlGaAs应变量子阱激光器,采用新的电流阻挡方案,使用MBE在低衬底温度下生长的GaAs层
机译:MBE生长的脊形波导InGaAs / InGaAsP应变量子阱激光器的波长为2μm
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离约束异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:有机金属气相外延生长的alInGaas / alGaas分离限制异质结构应变单量子阱二极管激光器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。