AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

摘要

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数，如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb/InGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。