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方志丹; 龚政; 苗振华; 牛智川; 沈光地;
北京工业大学,光电子技术实验室,北京,100022;
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;
InAs/GaAs量子点; 复合应力缓冲层; 光荧光; 原子力显微镜;
机译:在Si衬底上整体生长的1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中位错滤光层的优化
机译:单模1.3-μμmInAs-InGaAs-GaAs十层量子点波导的电吸收特性
机译:包含多达七层QD层的1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中模态增益的线性增加
机译:使用InAlAs / GaAs位错滤光层在Si衬底上整体生长1.3μmInAs / GaAs量子点激光器
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:窄脊波导高功率单模1.3μmInAs / InGaAs十层量子点激光器
机译:用于在si衬底上单片生长的1.3μmInas/ Gaas量子点激光器的缺陷滤光层的优化
机译:InGaas量子点中应变边界条件和Gaas缓冲层尺寸的研究
机译:具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
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