纳米V2O5的晶体缺陷与导电性能研究

摘要

用溶胶-凝胶法制备纳米V2O5粉体,利用LR、ESR结构分析手段研究晶体缺陷,并用阻抗谱研究它的导电性能.阻抗谱表明,在较低退火温度下得到的纳米V2O5粉体(平均粒径为5.0nm)表现出超常的导电性能,其电导率高于其它样品二个数量级.IR、ESR分析指出,该样品中V2O5结构发生严重畸变,引起氧空位浓度增加,并认为是导致良好导电性能之主要原因.