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影响多孔硅孔隙率的因素

         

摘要

研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律,并对以上各项结果作出了初步解释.

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2000年第2期|139-141|共3页
  • 作者单位

    新疆大学物理系;

    电子信息科学系,新疆,乌鲁木齐830046;

    电子信息科学系,新疆,乌鲁木齐830046;

    中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐830011;

    中国科学院新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐830011;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN304.12;
  • 关键词

    多孔硅; 孔隙率; 影响;

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