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王英; 薛成山; 庄惠照; 王邹平; 张冬冬; 黄英龙;
山东师范大学半导体研究所,山东,济南,250014;
GaN纳米结构; NiCl2; CVD;
机译:通过在Si(111)上氨化Ga_2o_3 / v膜来制备Gan纳米线和纳米棒的制备,形态和光致发光性质
机译:蓝宝石衬底上GaN纳米线-薄膜杂化膜的化学气相沉积法制备及其紫外光响应
机译:利用热化学气相沉积法制备基于ZnO纳米线/ p-GaN异质结的发光二极管
机译:化学气相沉积法制备Fe纳米线的制备与评价
机译:化学气相沉积法合成碳纳米管和氧化钨纳米线及其机理研究。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:GaN纳米棒发光二极管具有通过快速化学气相沉积法生长的悬浮石墨烯透明电极
机译:Ga蒸气与氨直接反应制备GaN纳米线的结构表征。
机译:使用用于制造纳米棒的化学气相沉积设备形成纳米棒的方法以及制造纳米棒的纳米棒或纳米线
机译:使用化学气相沉积设备形成纳米棒的方法,该设备用于制造纳米棒和纳米棒或制造纳米棒的纳米线
机译:通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
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