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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

召开年：2004
召开地：上海
出版时间： 2004-12-01

主办单位：中国有色金属学会;中国金属学会

会议文集：上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集

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1.Cd<,1>-xZnxTe晶格常数的测定
- 涂步华;方维政;刘从峰;孙士文;杨建荣
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文利用Cd1-xZnxTe晶体乌尔巴赫带尾吸收区内吸收系数α.=10cm<'-1>及α<,2>=20cm<'-1>对应的能量与组分的经验关系,测试了Cd1-xZnxTe晶体的Zn组分.实验结果表明:由红外透射光谱法获得的Zn组计算出的晶格常数与高分辨光射线衍射测得的晶格常数相比,偏差小于0.3﹪,因此,可将红外透射光谱法作为测量任意方向的Cd1-xZnxTe晶体组分及晶格常数的常规方法.
2.Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>-PbTiO<,3>定向压电陶瓷的制备与电性能研究
- 孙士文;王评初;潘晓明;朱丽慧;杨建荣
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文介绍了用定向凝固法制备Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>-PbTiO<,3>定向陶瓷的工艺,并对其择优取向及介电、压电性能进行了研究.结果表明,Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3> PbTiO<,3>的晶粒择优取向与原料组分和坩埚下降速度密切相关.[110]方向的Pb(Mg<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>-0.3PbTiO<,3>定向陶瓷表现出最优的介电、压电性能.
3.渐变带隙p-i-n纳米硅太阳电池的研究
- 于化丛;杨宏;孙铁囤;王鹤;赵占霞;赵亮;彭华;刘志刚;周之斌;孟凡英;何宇亮;唐敦乙;林书铨;崔容强
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界.本文从能带结构工程角度,利用纳米非晶硅的带隙与材料成分和结构的关系,首次设计出了p-i-n各层,并使其p、i、n各层按顺序能带渐变,从而提高了整个太阳电池的光电转换效率和开路电压并降低了光衰减.
4.硅材料国内外动态
- 叶祖超;谢江华
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：目前,硅材料行业欣欣向荣,生产企业在满负荷生产的同时,纷纷计划购买设备、开发新产品、提高质量、扩大产量.本文分析了国内外硅材料企业生产动态和市场份额情况,以提示硅片生产企业在适应市场需求不断增长的同时,要防范未来市场下滑所带来的风险.
5.气体电子倍增器(GEM)的性能研究
- 苏青峰;夏义本;王林军;汪琳;刘健敏;史伟民
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5~8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器.对GEM探测器在<'55>Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、AGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响.
6.SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析
- 朱鸣;林青;张正选;林成鲁
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制.
7.纳米硅提高SIMOX绝缘埋层的总剂量辐射加固技术
- 钱聪;张恩霞;张正选;林成鲁
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电子的行为机理进行分析讨论;最后,对利用纳米硅提高SIMOX材料的绝缘埋层的制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.
8.硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究
- 张楷亮;宋志棠;刘玉岭
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成品率,尤其是清洗工艺中特性吸附的研究大大提高了清洗表面质量,并降低了清洗成本.
9.磁场拉晶技术综述
- 施承启
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：磁场拉晶技术对直拉单晶来说,已显得越来越重要.本文阐述磁场拉晶技术的基本原理,对几种不同拉晶磁场类型的特点进行了分析,同时介绍了国内磁场设备的制造状况.
10.光伏太阳能电池及硅单晶的进展
- 殷妙廷
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：太阳能是理想的清洁能源,受到各国的高度重视.本文概述了光伏太阳能电池及硅单晶研究应用的进展情况,介绍了世界光伏太阳能电池的发展水平和我国光伏太阳能电池用单晶的生产状况.
11.高温热解法制备CdSe量子点研究进展
- 孙艳;陈静;戴宁
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：高温热解法可以制备尺寸分布均匀、具有多种包覆层结构、胶体状态的CdSe量子点,并且可以通过控制反应时间控制材料的尺寸,因此得到人们的广泛关系.本文对其制备工艺进行了介绍.
12.硅晶圆D-缺陷之分析与改善
- 邱恒德;游元信;林淑萍;黄冠文
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：半导体用硅晶棒主要是使用CZ法长晶.在长晶过程中因温度梯度及长晶速率之变动致使点缺陷不平衡而产生D-缺陷(V-rich,COP,FPD)和A-缺陷(Large Dislocation Loops),由于D-缺陷对闸极氧化层(Gate Oxide Integrity)会有坏的影响,大尺寸IC用硅晶圆以尽量少量为佳.本文主要讨论,D-缺陷之检测方法及对抛光片LPD(Light Point Defects)之影响,并且报告以高温RTP及掺氮减少D-缺陷的结果.
13.掺La的PMN-PT薄膜铁电和介电特性随温度变化的研究
- 孟祥建;孙璟兰;林铁;马建华;李亚巍;汪琳;褚君浩
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文研究了80到500K温度范围内掺La的PMN-PT薄膜的铁电和介电特性,结果显示薄膜具有弛豫特性.研究发现从室温到80K之间,薄膜剩余极化和矫顽电场都随温度的降低而升高.发现了薄膜在150K附近有反常的现象.这些结果表明La的PMN-PT薄膜在150K开始呈正常铁电特征.
14.(111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比分析
- 刘从峰;方维政;涂步华;孙士文;杨建荣
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越(111)面的位错线,而且,腐蚀坑的深度也仅局限于10微米以内.这些结果表明,腐蚀坑密度不能简单地表征材料的位错密度.
15.在SiC陶瓷衬底上生长纳米金刚石薄膜
- 吴南春;夏义本;谭寿洪;王林军
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,在较低的反应气体压力下在SiC陶瓷衬底上成功生长出纳米金刚石薄膜.用拉曼光谱对纳米金刚石薄膜结构进行了分析,用光学显微镜对薄膜表面形貌进行了观察,用台阶仪对薄膜表面粗糙度进行了测量.结果表明,当反应气压下降至0.5~1kPa时,薄膜晶粒大大减小,薄膜表面粗糙度降低至40nm.
16.提拉法中的固液界面形状数值模拟
- 陈龙;桑文斌;王林军;闵家华
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文通过ANSYS软件,利用有限元数值模拟方法,在轴向温度梯度为25℃/cm和提拉速率为1.2mm/h的条件下,对提拉法生长PbMoO<,4>晶体过程中,晶体旋转速率改变对固液界面形状的影响作了研究.模拟结果表明,随着晶体旋转速率的增加,固液界面经历了由凸到平再到凹的变化过程,这与实际晶体生长过程中所观察到的结果相一致,同时也印证了界面翻转理论.
17.氧化物光学镀膜材料发展现状
- 吴孝干;陈伯良
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文简要介绍了上海市用于半导体和其它器件上光学和红外镀膜的高品位氧化物材料的性能指标和生产状况,以及其它常用镀膜材料的性能规格.也简述了珍稀贵重的新型镀膜材料的发展前景.
18.锗的复苏
- 周恩华
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文对九十年代以来半导体锗材料的供求关系进行了概述,介绍了锗在光纤、催化剂、红外线、半导体及医药保健及领域新应用的进展状况,同时分析了锗的供求趋势,指出了锗材料生产、应用中存在的问题.
19.氧氮共注入提高SIMOX材料抗辐射性能研究
- 张恩霞;钱聪;张正选;王曦;张国强;李宁;郑中山;刘忠立
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO<,2>/Si界面处;为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在SIMOX和不同方法制作的SIMON材料上制作了NMOS场效应晶体管,并测试了辐射前后的转移特性.
20.外延生长工艺条件对图形完整性的影响
- 曾庆光;侯永生;张丽婴;冯慧钦
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：图形畸变和漂移是外延工艺中常见的缺陷.除此之外,发现图形台阶高度也是重要的参数,它可以简单直接地表明是否图形完整.本文从理论上探讨了图形不完整的根本原因.实验结果也验证了这些观点,同时,该技术已成功地应用于新品开发.
21.SOI在射频电路中的应用
- 骆苏华;刘卫丽;张苗;孙晓玮;林成鲁
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.本文分析了RF电路发展中遇到的挑战以及SOI在RF电路中应用优势,综述了当前国际上SOIRF电路的研究进展.
22.提高TEM测量结果的精度
- 陈一;朱烨;王宏培;胡岗
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：针对半导体制造中的TEM检测,本文就仪器的操作及仪器放大倍率的标定这两个方面讨论了如何提高TEM测量结果的精度问题.
23.硅晶格缺陷的透射电镜(TEM)分析
- 陈一;朱烨;王宏培;胡岗
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：硅的晶格缺陷与硅材料的性能密切相关.在提高硅材料的质量的实践中,人们不断积累了大量关于硅晶格缺陷的理论知识与实践经验.硅晶格缺陷的具体结构是原子尺度的.开展硅晶格缺陷的分析与研究,首先碰到的是显微技术.本文介绍了硅中各种类型的晶格缺陷,介绍了透射电镜分析技术在这个领域应用中的特色与局限.
24.化学气相沉积法制备ZnO纳米棒及其发光性能研究
- 方云英;桑文斌;贺英;闵嘉华;滕建勇;郭昀
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文采用低温化学气相沉积法在500-570℃硅衬底上直接生长出了ZnO纳米棒.所得ZnO纳米棒在硅衬底上分布均匀,平均直接为150nm,长度约为3-5μm,具有六方纤锌矿结构,并且沿(002)方向定向生长.样品的吸收峰在365nm处,在325nm激发波长激发下发光光谱由386nm附近的近带加强紫外发射峰和506nm附近的弱绿光发射峰组成.
25.X射线三轴衍射摇摆曲线的计算机模拟
- 王庆学;魏彦锋;杨建荣;何力
- 《上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会》 | 2004年
摘要：本文运用X射线衍射的动力学理论模拟了近完整的InP晶体以及碲镉汞外延材料的X射线三轴衍射摇摆曲线.模拟结果表明InP单晶的三轴摇摆曲线能很好的理论拟合,而对于非完整单晶碲镉汞外延材料,运用所建立的模型也能够很好的理论模拟.研究结果也表明,高分辨X射线衍射的计算机模拟是评价材料晶格完整性一种非常有效的方法.