Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的制备和性能研究

摘要

运用脉冲激光沉积方法,在pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜.通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小.P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能.400℃C氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2.5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2.Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降.