(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射

摘要

利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火态样品中ＥｒＳｉ２相增多．显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌．而这些结构变化将直接决定了（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光．