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周继承;
长沙铁道学院材料研究所;
快速热退火; 双离子注入; Si^+; B^+; 单晶硅;
机译:P注入的亚稳Si / Ge_(0.12)Si_(0.88)的快速热退火优于炉退火的优势
机译:Si-和Si_xGe_(1-x)超浅结注入后和高级快速热退火中硼扩散的非高斯局部密度扩散(LDD-)模型。
机译:Si〜+注入和快速热退火技术研究SiO_2层中Si纳米结构
机译:砷注入的弛豫Si_1-xGe_x的快速热退火
机译:基于铜-铟-镓-二硒化物的薄膜太阳能电池的脉冲激光退火和快速热退火。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:GaAs上Ta-Si5薄膜注入的快速热退火
机译:si + - 嵌入式Inp的无帽快速热退火
机译:硅晶片的氩气/氨气快速热退火,由此制造的硅晶片和用于制造单晶硅锭的热拉斯基拉管
机译:硅晶圆的氩气/氨气快速热退火工艺,从而制造了硅晶圆,并制造了用于制造单晶硅锭的热拉斯基拉管。
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