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郑小秋; 吕燕伍;
北京交通大学,理学院,北京,100044;
量子级联激光器; 氮化物半导体; 有效质量理论; 光学声子散射;
机译:基于GaAs和GaN半导体材料的近端和远红外量子级联激光器:器件设计和MBE生长
机译:量子级联激光器:用于中红外和远红外光谱区域的激光器的半导体解决方案
机译:基于双台阶III族氮化物量子阱的远红外子带间光电探测器
机译:基于III-氮化物半导体的太赫兹量子级联激光器的装置结构的制造
机译:基于III族氮化物半导体中子带间跃迁的太赫兹光电器件。
机译:使用基于氮化物的半导体二极管的氢传感器:金属/半导体界面的作用
机译:基于半导体量子阱的二极管激光泵浦远红外局部振荡器
机译:基于氮化物的半导体发光器件,基于氮化物的半导体激光器件,基于氮化物的半导体发光二极管,制造该发光二极管的方法以及形成基于氮化物的半导体层的方法
机译:基于氮化物的III-V复合半导体的生长,半导体装置的制造,基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质,用于基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质的制造
机译:基于氮化物的半导体基质蚀刻方法,基于氮化物的半导体膜形成方法和基于氮化物的半导体基质
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