机译:基于氮化物的III-V复合半导体的生长,半导体装置的制造,基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质,用于基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质的制造
公开/公告号JPH11243253A
专利类型
公开/公告日1999-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 SONY CORP;
申请/专利号JP19980043456
申请日1998-02-25
分类号H01S3/18;C30B29/40;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/812;H01L33/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 02:33:09