小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究

摘要

分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻Rj和MOS沟道电阻Rch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压VGS时,器件漏端电流IDS大小与栅源电压VCS无关,从而形成准饱和效应.