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600V/10A变压大电流VDMOS功率晶体管的仿真分析与研制

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目录

摘要

ABSTRACT

第一章 绪论

1.1 功率MOS 器件的发展概况及现状

1.1.1 功率MOS 器件发展概述

1.1.2 功率MOS 器件发展趋势和国内外研究动态

1.2 VDMOS 器件的结构及工作原理

1.3 本论文的选题及研究内容

第二章 600V/10A VDMOS 产品的结构和参数特性

2.1 版图设计及I-V 特性

2.1.1 版图设计结构

2.1.2 600V/10A VDMOS 产品I-V 特性

2.2 VDMOS 产品的重要参数

2.2.1 阀值电压

2.2.2 导通电阻

2.2.3 BVDSS 及BVDSS 与导通电阻的关系

2.2.4 开关时间

2.3 器件的温度特性

2.4 本章总结

第三章 600V/10A VDMOS 产品电容特性优化仿真

3.1 600V/10A VDMOS 产品的电容特性

3.2 600V/10A VDMOS 产品的电容特性仿真

3.3 本章总结

第四章 结论和展望

4.1 本论文研究总结

4.2 前景展望

致谢

参考文献

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摘要

功率器件作为集成电路的一个发展方向,其应用的范围不断扩大,VDMOS晶体管作为功率器件中重要的一种,具有高输入阻抗、速度快、没有二次击穿等优点。国内的各功率半导体厂家越来越多的投入到VDMOS研发当中。本论文针对600V/10A高压大电流VDMOS功率晶体管作为主要研究对象,分析VDMOS工作原理,设计一种适宜推向市场的VDMOS产品,并在电容特性方面进行创新与探索性的研究。主要进行如下的工作:1.研究VDMOS功率器件的结构与工作原理;2.研究对应600V/10A的VDMOS产品结构及参数特性,设计出一种可投产试流的600V/10A产品版图;3.研究600V/10AVDMOS产品制造工艺,设计样品试流工艺,并完成样品制作,获取一定特性数据;4.研究完成样品的电容特性数据,并进行软件仿真,研究优化电容参数方法。

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