掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
A multi-cell mosfet with exponential V/sub G/-I/sub D/ characteristics
机译:
具有指数v / sub g / -i / sub D /特性的多单元MOSFET
作者:
Sekine K.
;
Shono K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
2.
High speed, high current capacity LIGBT and diode for output stage of high voltage monolithic three-phase inverter IC
机译:
高压整体三相逆变器IC输出级的高速,高电流容量LIGBT和二极管
作者:
Sakurai N.
;
Mori M.
;
Yatsuo T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
3.
Bipolar MOS power device simulator TonaddeIIc taking into account external circuit
机译:
双极MOS电源装置模拟器TonAddeiic考虑了外部电路
作者:
Nakagawa A.
;
Sato K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
4.
40 V BiCMOS technology with polysilicon emitter structure
机译:
具有多晶硅发射器结构的40 V BICMOS技术
作者:
Yamada S.
;
Yamauchi T.
;
Tokuriki M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
5.
A coxparative analysis of bipolar power turn-off devices : GTO - SITH - FCTH
机译:
双极电源开关装置的比较分析:GTO - 获取
作者:
Jaecklin A.A.
;
Muraoka K.
;
Graning H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
6.
Selection criteria for power semiconductors for motor drives
机译:
电机驱动器电源半导体的选择标准
作者:
Lorenz L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
7.
Annealing behaviour of ion implanted aluminum in silicon
机译:
离子植入铝中硅的退火行为
作者:
Stockmeier T.
;
Braesch P.
;
Halder E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
8.
Fabrication technique of silicon power devices by liquid phase epitaxy
机译:
液相外延硅功率装置的制造技术
作者:
Sukegawa T.
;
Kimura M.
;
Nim C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
9.
Novel planar junction termination technique for high voltage power devices
机译:
高压功率装置的新型平面结终端技术
作者:
Stockmeier T.
;
Roggwiller P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
10.
Impact of ultra clean wafer processings on power devices
机译:
超清洁晶片处理对电力装置的影响
作者:
Ohmi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
11.
A SITH-model for CAE in power-electronics
机译:
电力电子中CAE的SITH模型
作者:
Metzner D.
;
Schroder D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
12.
Tne study of deterioration wchanigm and stability tecnnique of surface sustained voltage of flower electronic devices
机译:
花电电子器件表面持续电压的劣化WChanigm和稳定性Tecnique的研究
作者:
Xu Chuanxiang
;
Zhang Shaoyun
;
Feng Yuzhu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
13.
High voltage DMOS and IGBT for FPD driver IC
机译:
用于FPD驱动器IC的高压DMOS和IGBT
作者:
Tsuchiya K.
;
Yoshida Y.
;
Tada G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
14.
Power MOSFETs having Schottky barrier drain contact
机译:
具有肖特基屏障漏极接触的功率MOSFET
作者:
Sakurai K.
;
Nishimura T.
;
Obinata S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
15.
High-voltage and power integrated circuits: switch topology, application and technology
机译:
高压和功率集成电路:切换拓扑,应用和技术
作者:
Williams R.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
16.
A comparative study of the carrier distributions in dynamically operating GTO's by means of two optically probed measurement methods
机译:
通过两种光学探测测量方法动态操作GTO的载波分布的比较研究
作者:
Bleichner H.
;
Rosling M.
;
Vobecky J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
17.
High power transistor modules with intelligent functions
机译:
具有智能功能的高功率晶体管模块
作者:
Shisekane H.
;
Hosen T.
;
Terasawa N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
18.
A breakdown voltage simulator for semiconductor devices TonaddeIIb
机译:
半导体器件Tonaddeiib的击穿电压模拟器
作者:
Omura I.
;
Nakagawa A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
19.
Experiments and 2D-simulations for quasi-saturation effect in ponver VDMOS transistors
机译:
PONVER VDMOS晶体管中的准饱和效应的实验和2D模拟
作者:
Chan-Kwang Park
;
Kwyro Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
20.
A two-dimensional analytical model for the output I-V characteristics of the static induction transistor (SIT)
机译:
静电感应晶体管输出I-V特性的二维分析模型(SIT)
作者:
Strollo A.G.M.
;
Spirito P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
21.
A novel 8 KV light-triggered thyristor with overvoltage self protection
机译:
一种具有过压自保护的新型8 kV光触发晶闸管
作者:
Mitlehner H.
;
Pfirsch F.
;
Schulze H.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
22.
Design optimization for improving high power GTO switching characteristics with 'alloy free technology'
机译:
“合金自由技术”改善高功率GTO切换特性的设计优化
作者:
Matsuda H.
;
Fujiwara T.
;
Nishitani K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
23.
An intelligent power IC with multiple outputs for automotive application
机译:
一种具有多个输出的智能功率IC,用于汽车应用
作者:
Suda K.
;
Ozeki S.
;
Matsuzaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
24.
GTO-cascode for high power, high frequency applications
机译:
高功率,高频应用的GTO - Cascode
作者:
Nowak W.-D.
;
Korec J.
;
Maeder H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
25.
Ultra high di/dt pulse switching of 2500 V nos assisted gate-triggered thyristors (MAGTs)
机译:
超高DI / DT脉冲切换2500 V NOS辅助栅极触发晶闸管(MAGTS)
作者:
Shinohe T.
;
Nakagawa A.
;
Minami Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
26.
Power semiconductor devices for pulse power applications
机译:
用于脉冲功率应用的功率半导体器件
作者:
Portnoy W.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
27.
ISPSD'90 author index
机译:
ISPSD'90作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
28.
High power gaas MMIC switches with planar semi-insulated-gate fets (SIGFETs)
机译:
高功率GaAs MMIC开关,具有平面半绝缘栅极FET(SIGFET)
作者:
Yong-Hoon Yun
;
Johnson D.
;
Gutmann R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
29.
12kV , 1kA thyristor
机译:
12kv,1ka晶闸管
作者:
Iwamoto H.
;
Nakagawa T.
;
Tokunoh F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
30.
The MOS-gated emitter switched thyristor
机译:
MOS门控发射器开关晶闸管
作者:
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
31.
High frequency reverse conducting GTO thyristor
机译:
高频反向导通GTO晶闸管
作者:
Yamada O.
;
Watanabe M.
;
Kakigi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
32.
Proceedings Of The 2nd International Symposium On Power Semiconductor Devices ICs
机译:
第二届电力半导体器件与ICS国际研讨会的诉讼程序
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
33.
High frequency 6000 V gate GTOs with buried gate structure
机译:
具有埋设栅极结构的高频6000 V栅极GTO
作者:
Ogura T.
;
Nakagawa A.
;
Atsuta M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
34.
Effects of shorted collector on characteristics of IGBTs
机译:
短路收集器对IGBTS特征的影响
作者:
Akiyama H.
;
Minato T.
;
Harada M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
35.
Improved structure of the accumulation lateral DMOST
机译:
改进了积累的横向D次的结构
作者:
Habib S.E.-D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
36.
Numerical analysis of GTO using finite element method
机译:
使用有限元法的GTO数值分析
作者:
Sakata H.
;
Isomura S.
;
Masada E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
37.
Super mini type integrated inverter using intelligent power and control devices
机译:
超级迷你型集成逆变器使用智能电源和控制设备
作者:
Majumdar G.
;
Sugimoto H.
;
Kimata M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
38.
An ASIC approach to power IC design
机译:
电力IC设计的ASIC方法
作者:
Shackle P.W.
;
Wacyk I.T.
;
Woo J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
39.
Switching performances of enhanced gain bipolar mode field effect transistor (BMFET)
机译:
增强增益双极模式场效应晶体管的切换性能(BMFET)
作者:
Busatto G.
;
Ferla G.
;
Fallica P.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
40.
High speed polysilicon deposition process for dielectric isolation technology
机译:
高速多晶硅沉积工艺介电隔离技术
作者:
Itoh S.
;
Usui T.
;
Akahane K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
41.
Small warpage dielectrically isolated wafer for power ICs by silicon wafer direct-bonding
机译:
通过硅晶片直接键合的小翘曲电力分离晶片。
作者:
Furukawa K.
;
Nakagawa A.
;
Tanzawa K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
42.
Latching in N-channel, high-voltage hybrid SINFET's
机译:
在N沟道中锁定,高压混合SINFET
作者:
Chow T.P.
;
Pattanayak D.N.
;
Baliga B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
43.
Power rectifier with integrated current sensor
机译:
具有集成电流传感器的电源整流器
作者:
Chang H.-R.
;
Radun A.V.
;
Baliga R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
44.
A novel heavily doped drift - auxiliary cathode lateral insulated gate transistor structure
机译:
一种小型掺杂漂移 - 辅助阴极横向绝缘栅极晶体管结构
作者:
Huang Q.
;
Sankara Narayanan E.M.
;
Kwan K.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
45.
Application of a proton irridation technique to high voltage thyristors
机译:
质子渗透技术在高压晶闸管中的应用
作者:
Shimizu Y.
;
Yokota T.
;
Kohno I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
46.
Semiconductor silicon carbide-expectation for power devices
机译:
用于电力装置的半导体碳化硅 - 期望
作者:
Matsunami H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
47.
Diagrams for estimating thermal impedance for pulse current of power semiconductor devices
机译:
用于估计功率半导体器件脉冲电流的热阻抗的图
作者:
Reneid Z.
;
Ilie D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
48.
New 500V output device structures for thin silicon layer on silicon dioxide film
机译:
二氧化硅薄膜上薄硅层的新500V输出装置结构
作者:
Nakagawa A.
;
Yasuhara N.
;
Baba Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
49.
A novel field plate structure under high voltage interconnections
机译:
高压互连下的新型场板结构
作者:
Fujishima N.
;
Takeda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
50.
Off-line integrated full-bridge drrver for induction motors
机译:
用于感应电机的离线集成全桥DRRV
作者:
Bruning C.
;
Wegener A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
51.
Intelligent power device having large immunity from transients in automotive applications
机译:
智能功率器件从汽车应用中的瞬态具有大的免疫力
作者:
Matsushita T.
;
Mihara T.
;
Ikeda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
52.
Multi-dimensional simulation of MCT structures
机译:
MCT结构的多维模拟
作者:
Aenuner A.
;
Bauer F.
;
Burgler J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
1990年
意见反馈
回到顶部
回到首页