HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片

摘要

利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片.所使用掺杂气体为浓度为5％的甲烷气体,混合于N2载气中.所制备晶圆片厚度可达800 μm 以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm 以下.(002)和(102)晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40～60 arcsec,曲率半径可达20 m 及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109Ω-cm.