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杨恒青; 宋毅锋;
复旦大学材料科学系;
材料科学; 半导体外延; 杂质扩散; 杂质浓度深度分布;
机译:厚(> 100μm)和低掺杂(<4×10〜(14)cm〜(-3))4H-SiC外延层中掺杂浓度的深度分布
机译:硬X射线光电子能谱分析Mg浓度对Mg掺杂InN外延层能带深度分布的影响
机译:掺杂深度分布均匀的4H-SiC薄层的外延生长
机译:厚(> 100μm)和低掺杂(<4×1014 cm-3)4H-SiC外延层中掺杂浓度的深度分布
机译:金属有机气相外延生长锰掺杂的锑化铟铟半导体薄膜中的铁磁性。
机译:全息聚合物分散液晶和掺杂激光染料与半导体聚合物薄膜的分布式反馈激光器的有机固态三波长激光发射
机译:Si(111)衬底上Al和Cu掺杂的BaSi2薄膜的分子束外延和Al和Cu原子深度分布的评估
机译:半导体测量技术:用于测量硅中注入深度分布的肖特基势垒二极管的差分电容 - 电压分布
机译:双极晶体管外延层中n型掺杂剂浓度深度分布的控制方法
机译:通过将膜深度分布细分为均匀的预选成分区域来沉积成分渐变材料膜,尤其是数字渐变分子束外延或化学气相沉积半导体膜
机译:掺杂深度分布均匀的半导体晶片的退火方式
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