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付; 袁炳辉; 杨瑞霞; 王林海;
河北工学院;
砷化镓; 液相外延; 载流子浓度; 分布;
机译:GaAs液相外延层中少数载流子扩散长度随载流子浓度的变化
机译:分子束外延生长梯度掺杂GaAs / GaAlAs外延层中载流子浓度的退火研究
机译:掺杂和未掺杂p型Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te液相外延膜中的少数载流子寿命
机译:生长速率对低压金属有机气相外延生长的δ掺杂GaAs外延层中掺杂限制的影响
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:使用Se掺杂的GaAs缓冲层和光栅图案基板对INP高质量GaAs的液相外延生长
机译:通过提高as4 / as2流量比增强分子束外延si和Be掺杂Gaas中载流子浓度和空间限制
机译:具有高P型载流子浓度外延层的GAAS发光二极管及其制造
机译:通过在硅衬底上生长的GaAs外延层的金属有机化学气相沉积来形成δ掺杂层的方法
机译:使用(CH.sub.3).sub.3 As和CCl.sub.4的有机金属气相外延工艺可改善掺杂碳的GaAs的稳定性
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