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光学光刻; 模拟; 多晶硅; 抗反射涂层;
机译:多晶硅栅耗尽对亚微米MOSFET亚阈值行为的影响
机译:通过沉积后快速热退火控制多晶硅栅的晶粒尺寸,提高深亚微米CMOS工艺的产量
机译:p + sup>多晶硅栅中栅氧化物的定标限制亚四分之一微米CMOS器件的MOS结构
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:掺杂方法对亚微米CMOS器件中多晶硅栅电极电性能和微观形貌的影响
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:单次曝光交替孔径相移掩模形成亚0.18微米多晶硅栅极的应用
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