提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，由对硬掩模层进行刻蚀、去胶、对多晶硅进行主刻蚀、对栅极进行过刻蚀、微沟槽形成阶段等五个步骤构成。本发明在线条底部形成微沟槽，一定程度上降低了沟道宽度，控制了线条形貌，从而提高了器件的性能。