不同构型下ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究

摘要

针对5种不同构型下的ZnO基稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析其电子结构及磁性.结果表明,Co掺杂ZnO的铁磁性随掺杂位置不同而变化,Mn掺杂ZnO表现出反铁磁性.而(Co,Mn)共掺杂ZnO由于掺杂原子间的相互作用,表现出铁磁性并且具有高于室温的局里温度,是一种理想的稀磁半导体材料.