ITO薄膜的制备及其光电特性研究

摘要

采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜.研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响.结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70 nm以上、溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm/min 左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10-4Ω·cm、可见光透过率80%以上.