首页> 中文会议>第八届华东三省一市真空学术交流会 >ITO高阻薄膜的制备及光电特性研究

ITO高阻薄膜的制备及光电特性研究

摘要

采用直流磁控溅射法在玻璃基板上制备ITO薄膜,研究了溅射功率、溅射时间、溅射气压等工艺条件对ITO薄膜的方阻和透过率的影响.并在溅射功率45W,溅射时间3min,溅射气压3Pa的工艺条件下得到了我们所需要的高阻薄膜,其方阻为2.873MΩ/sq,对550hm可见光的透过率为96.466%.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号