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齐胜利; 陈志忠; 潘尧波; 郝茂盛; 邓俊静; 田朋飞; 张国义; 颜建锋; 朱广敏; 陈诚; 李士涛;
北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;
上海蓝光科技有限公司;
氮化镓; 多量子阱; 发光二极管; 铝镓氮/氮化镓; 多量子势垒; 外量子效率;
机译:在蓝宝石(0001)衬底上采用InGaN / GaN MQW结构中的AlGaN中间层的绿色LED的增强的光输出功率
机译:具有GaN / InGaN超晶格结构的AlGaN / InGaN MQW LED的性能增强
机译:带有AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的效率增强
机译:在Si(111)衬底上生长的InGaN / GaN MQW中具有薄AlGaN中间层的高效蓝光LED
机译:发射蓝光的InGaN / GaN MQW中不均匀性的光学表征。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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