51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器

摘要

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）GaNHEMT圆片工艺，通过E模器件和E／D集成技术，在国内率先实现了5l级GaNE／D集成环形振荡器，工作电压为6V时振荡频率达404MHz，级延时为24．3ps。